如何使用三端双向可控硅开关和相位控制电路来控制流经交流负载的电流?现在主要通过改变负载电压的RMS 值来控制平均负载功率。这可以通过使用反向并联 SCR 或使用单个三端双向可控硅开关元件来实现。
使用三端双向可控硅开关的交流负载控制是低至中高功率交流负载常见的晶闸管控制方法。负载功率通过控制负载电压的有效值来控制，而有效值又由双向可控硅的触发角控制。这反过来又控制了双向可控硅的导通时间。
当触发角α为零时，导通角θ为180°，负载电压，等于电源电压。随着触发角增大，导通角减小，负载电压减小。当α等于180°时，θ为零，负载电压为零。
电子负载是通过控制和调整跨接在其输入端的FET功率场效应管RDS，似乎将多台电子负载串联应该没有什么大问题。如图2所示，假如我们将两台串联的电子负载都设置为CC模式，而且设置为完全相同的电流值，KPEL-S系列小功率直流电子负载，譬如都设置为10.00A。但实际上电子负载不可能是的10.00A，如果其中一台实际为9.99A，而另外一台为10.01A。这样一来，电子负载2就不可能达到其设置值，因此，它就不停的减小FET的RDS直到0（短路），这样所有的电压就全部加载到电子负载1上使得它过压损坏。
也有人建议两台电子负载分别工作于恒流CC模式和恒压CV模式，而且这似乎可以实现设定电压、电流点的工作状态。但是如何让这两台电子负载进入到设定的CC及CV工作点？
假设我们先设定好电子负载，然后再将负载连接到被测电源，设定于CC模式的电子负载因为没有任何电流，因此将FET的RDS设置为0（短路）；而设定于CV模式的电子负载因为没有任何电压，将FET的RDS设置为+∞
（开路）。所以在电源接入的瞬间，电源上的所有电压100V都加载到CV模式的负载上，就可能损坏。
每个可编程直流负载表控制模块都有一个环境温度短路保护，当内部环境温度超过安全极，该保护可完全自动关闭驱动负载。在过温保护之后，状态寄存器中的温度(OT)和环境温度不正确(TE)数据位是有用的，并一直保留到复位。LOAD键可以重置状态选项卡。
当待检测电源的输入电压反向时，返向电流流过可编程DC负载表，其更大的安全电流根据负载类型而变化。如果要检测的电源电压的返回电流超过可编程DC负载表的负载容量，则负载经常被破坏。因此，在检测到反向电压后，应立即断开要测试的开关电源，检查正负极并重新连接。LOAD(加载)按钮重置状态选项卡。
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