而未米的0.18um}艺甚至0.13m工艺，1N金靶材厂，所需要的靶材纯度将要求达到5甚至6N以上。铜与铝相比较，铜具有更高的抗电迁移能力及更低的电阻率，哪家有金1N金靶材，能够满足！导体工艺在0.25um以下的亚微米布线的需要但却带米了其他的问题：铜与有机介质材料的附着强度低．并且容易发生反应，导致在使用过程中芯片的铜互连线被腐蚀而断路。
为了解决以上这些问题，需要在铜与介质层之间设置阻挡层。阻挡层材料一般采用高熔点、高电阻率的金属及其化合物，因此要求阻挡层厚度小于50nm，与铜及介质材料的附着性能良好。铜互连和铝互连的阻挡层材料是不同的．需要研制新的靶材材料。铜互连的阻挡层用靶材包括Ta、W、TaSi、WSi等．但是Ta、W都是难熔金属．制作相对困难，如今正在研究钼、铬等的台金作为替代材料。
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用于电子照相成像装置和喷墨成像装置的导电辊是通过将导电性泡沫弹性体包覆于导电性金属芯材的外周而制成的。所述导电性泡沫弹性体是通过将导电性材料分散在普通弹性体中以使该弹性体具有导电性，并使用空气或者氮气对弹性体进行机械发泡、或者使用发泡剂进行化学发泡而形成的。
导电辊，所述导电辊的电阻率几乎不会随着环境变化而改变。根据本发明的一方面，提供了一种导电辊，该导电辊包括导电性芯材，以及包覆于所述导电性芯材的外周的泡沫弹性层。
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