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在半导体里，出现了空穴这样一个名词。 当参杂B进入Si内此时B会以B+e-=B-和Si形成稳定共价键，即每个B会接受一个电子(电子来自其他Si之间的共价键中的价电子)使自己周围价电子变成4个才能和周围的4个Si形成稳定共价键故每加入1个B原子将产生一个空穴空穴并不是真实存在的，只是对大量电子运动的一种等效，空穴的流动其实就是大量电子运动的等效的反运动，这从空穴的定义和特性就可以知道。
锜晟智能是一家工业品领域的供应链服务商！专注为中国制造业提供欧洲、日本及美国原装的工业品配件。与众多国际驰i名的工业品品牌及厂商密切合作，为您提供100%原装产品。主营：BURKERT，OMRON，PILZ，SIEMENS，SICK，IFM，AVENTICS，PHOENIX，REXROTH，Baumer，EGE，SCHMERSAL，EUCHNER，SCHNEIDER，Würth，EGE液位控制器，E+H等多个品牌产品。
必须存在时变源。时变源可以是时变的电荷源、时变的电流源或时变的电磁场，时变源的频率应足够高，才有可能产生明显的辐射效应。 [7] 源路必须开放。波源电路必须开放，EGE接近开关，源电路的结构方式对辐射强弱有极大的影响，封闭的电路结构，如谐振腔是不会产生电磁辐射的。 [7]
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半导体如锗和硅晶体的能带结构，类似于绝缘体，EGE传感器，导带中没有电子而价带是满带，但其间的禁带宽度较小，如硅约1.1eV，锗约0.7eV。常温下，由于热运动，少量在价带顶部的能量大的电子就可能越过禁带而升迁到导带中去成为“自由电子”，这些电子可以通过电子导电形成电流。
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