四氟化碳在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，仅在碳弧温度下缓慢分解，四氟化碳，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015％（重量比），然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。在电子器件表面清洗、太阳能电池的生产、激光技术、气相绝缘、低温制冷、泄漏检验剂、控制宇宙火箭姿态、印刷电路生产中的去污剂等方面也大量使用。在900℃时，不与铜、镍、钨、钼反应，四氟化碳批发，仅在碳弧温度下缓慢分解，微溶于水，在25℃及0.1Mpa下其溶解度为0.0015%(重量比)，然而与可燃性气体燃烧时，会分解产生有毒氟化物。
电子四氟化碳是目前半导体行业主要的等离子体蚀刻气体之一，四氟化碳公司，在硅、二氧化硅、金属硅化物以及某些金属的蚀刻，以及低温制冷、电子器件表面清洗等方面被广泛应用。而电子特气系统为它保驾护航，保证四氟化碳（CF4）的纯度和安全稳定使用。高纯四氟化碳是纯度在99.999%以上的四氟化碳产品，是一种无色无味气体。高纯四氟化碳不可燃烧，在常温常压条件下化学性质稳定，在密闭容器中遇高热有危险，不溶于水，可溶于苯、等部分溶剂。四氟化碳作为制冷剂是一种无色不可燃气体，能够保障液体运输的安全性。在临床医学中，四氟化碳还是一种高浓度的醉剂。由以上看出，四氟化碳的应用范围广泛，在下游电子产业等带动下，行业快速发展。
对于硅和二氧化硅体系，采用CF4-O2反应离子刻蚀时，通过调节两种气体的比例，四氟化碳厂家，可以获得45：1的选择性，这在刻蚀多晶硅栅极上的二氧化硅薄膜时很有用。四氟化碳的热稳定性更好。化合物的热稳定性主要与化学键的键能及键长有关。零下198 °C时，四氟化碳具有单斜的结构，晶格常数为a = 8.597， b= 4.433， c = 8.381 (.10-1 nm)， β = 118.73° 。四氟化碳是可作为氟和自由基氟化碳的来源，用于各种晶片蚀刻工艺。四氟化碳和氧结合用以蚀刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。
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