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半电流IGBT是一种新型的功率半导体器件，具有快速导通、高速关断的特点。其具体性能包括高耐压能力（高650V）、低饱和电压和良好的热稳定性等优点使其在强电领域有着广泛的应用前景.

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大电流IGBT（Insulated-GateBipolarTransistor）是一种功率半导体器件，广泛应用于电力电子领域。它具有较高的开通能力和良好的关断特性，能够在大容量电气系统中实现电能转换和控制功能。。
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